檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="磊晶層與基材間之界面復合"
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…